赛晶科技（580 HK，港币$2.79，市值港币45亿元）供应AI数据中心（AIDC）关键组件之被忽视参与者

赛晶科技是中国输变电配电组件领域的领导者，同时亦是日立能源半导体（前ABB半导体）在中国的全国总代理。近年来，其用于柔性高压直流输电（即ABB之HVDC Light）及新型储能的产品持续推动公司增长。2025年，营业收入达人民币23亿元（按年+40%），纯利人民币1.38亿元（按年+34.5%）。随着AI数据中心升级至800V高压直流（HVDC）架构，固态变压器（SST）及相关组件需求将迎来爆发。惟我们认为，市场尚未充分认知公司在该领域的竞争优势。

固态直流断路器（SSCB）－ AI数据中心800V HVDC之关键安全装置：AI驱动的电力需求正推动数据中心电源架构由54V低电压迈向800V HVDC，固态变压器（SST）为新一代解决方案。预期至2028年，全球新增AI数据中心电力需求或超过20GW，对应市场规模逾人民币200亿元。
赛晶科技已战略性布局数据中心电源系统，推出涵盖800V及1500V平台之SSCB系列产品。该产品源于瑞士附属公司Astrol（前ABB电力电子团队），其1500V船用版本已获西门子、ABB及施耐德采用。预期赛晶科技之800V产品将于2026年底前首次出货，并可望于2027年下半年量产。公司已与北美主要AIDC系统整合商（包括Delta及Vertiv）开展合作。鉴于国内SSCB领域竞争者有限，我们相信赛晶科技将享有先发优势。

2300V SiC MOSFET－ SST高压运作之核心赋能器件：SST需采用SiC MOSFET以实现高压、高频运作。为提升功率密度及效率，SiC电压等级正由1.2kV向3.3kV及以上演进。英飞凌及Wolfspeed已推出2300V+器件，赛晶科技亦已于2026年4月发布其自主研发的2300V SiC MOSFET，直接瞄准数据中心SST应用。管理层表示，1200V/1500V封装产品预期于2026年第三季推出，2300V样品及验证则于2026年底前完成，时间表大致与英飞凌同步。自主研发功率半导体收入于2025财年已实现翻倍，达人民币1.21亿元，占总收入5.4%。随着SST于2027年量产，加上SiC供应偏紧，该业务分部将成为新增长引擎，并有望加速国产替代进程。

电网发展之关键供应商：「十五五」规划（2026‑2030年）期间，国家电网固定资产投资预期达人民币4万亿元，较「十四五」增长40%，重点包括特高压直流（UHV DC）及电网数字化，为输变电组件供应商带来明确增长机遇。赛晶科技在传统特高压直流领域拥有多项业界领先及专有技术，技术壁垒深厚，毛利率较高。
其阳极饱和电抗器为国内唯一自主研发技术，自2014年起国内几乎所有特高压项目均采用赛晶科技产品；电力电容器业务位居市场前三。在柔性高压直流方面，公司在直流链电容器实现国产突破，于甘肃‑浙江项目占据75%国内份额。
2025年，传统及柔性HVDC合计收入达人民币8.72亿元，按年增长35%，占总收入约40%。公司指引2026年该业务分部至少录得15%按年增长，带动收入突破人民币10亿元。而「十五五」期间该分部潜在订单已逾人民币80亿元。

我们的观点：赛晶科技是中国输变电领域的龙头企业，客户涵盖南瑞、西电及国家电网。2026年5月，公司与思源电气（主要输变电设备制造商）签署战略合作协议，共同开发800V直流系统，并借助思源电气之海外渠道拓展全球市场。
在极具潜力的AIDC电源系统领域，赛晶科技属领先参与者。行业研究机构Semi Analysis预测，全球SST市场于2030年前将达约130亿美元（估计复合年增长率约90%）；Yole Group则预测全球SiC功率器件市场于2030年逾100亿美元（复合年增长率20%）。赛晶科技精准对应SST三项关键组件，即2300V SiC MOSFET（开关核心）、SSCB（安全保护）及直流链电容器（被动元件）。
我们对公司同时受惠于特高压建设周期及AI数据中心电源升级趋势持正面看法。往后关键催化因素为SST及AI数据中心电源产品之量产进度。该股目前对应2026财年预测市盈率约26倍。（研究部）